Toshiba zapowiada pamięci PLC. Nadchodzi kolejna degradacja SSD?

Data: 28.08.2019 13:08

Autor: ziemianin

ithardware.pl

#codziennaprasowka #informacje #wiadomosci #technologia #plc #ssd #pamieci #flash #nand #flashnand #toshiba #QLC #TLC

PLC (penta-level cell) traktować można jak następcę QLC, który przyniesie jeszcze słabszą trwałość i niższą wydajność, w zamian oferując jedynie wyższe zagęszczenie danych.

Toshiba zapowiada pamięci PLC. Nadchodzi kolejna degradacja SSD?

Toshiba już planuje kolejną generację pamięci Flash wykorzystywanej w dyskach SSD i kolejny raz będziemy mieli do czynienia z dość nietypową sytuacją na rynku technologicznym, kiedy to nowa odsłona przyniesie degradację zamiast postępu. Mowa tu bowiem o 5-bitowych pamięciach PLC (penta-level cell), które traktować można jak następcę QLC, który przyniesie jeszcze słabszą trwałość i niższą wydajność, w zamian oferując jedynie wyższe zagęszczenie, a co za tym idzie i niższą cenę w stosunku do pojemności. Dziś standardem na rynku są pamięci TLC, które wykorzystywane są nawet w high-endowych produktach (MLC to obecnie już naprawdę rzadkość), ale 4-bitowe QLC coraz szybciej zyskują na popularności, ze względu na swoją niską cenę. Toshiba na Flash Memory Summit w Santa Clara zapowiedziała jednak, że pracuje nad pamięciami zdolnymi do przechowywania 5 bitów na komórkę, które wykorzystywane będą w przyszłych nośnikach danych.

Pamięci BiCS Flash od Toshiby wykorzystywane są przez wielu producentów dysków SSD, w tym choćby przez WD. Japoński producent na Flash Memory Summit zdradził więc co nieco na temat ich przyszłości, zapowiadając choćby BiCS Gen5, które de facto będzie Flash NAND Toshiby dedykowanym SSD PCIe 4.0, zapewniając 50% wzrost przepustowości względem obecnie stosowanych układów BiCS czwartej generacji. Co naturalne, szósta generacja BiCS planowana jest na debiut interfejsu PCIe 5.0, zapewniając 33% wzrost przepustowości, a wraz z nadejściem PCIe 6.0 doczekamy się BiCS Gen7, które dostarczyć ma o 25% wyższą przepustowość. Niestety upychanie większej ilości danych w każdej komórce pamięci w pewnym stopniu zniweczy spodziewane wzrosty wydajności.

PLC to bowiem naturalny następca pamięci QLC, które już często krytykowane są za słabą wydajność i trwałość w stosunku do TLC, których ceny i tak mocno spadają w ostatnim czasie. Wygląda jednak na to, że wzrost pojemności dysków SSD oraz coraz niższe ceny okupione będą w przyszłości gorszymi parametrami. Toshiba jednak planuje w pewnym stopniu zniwelować niekorzystne skutki przejścia na technologię PLC, wykorzystując do tego celu nowy protokół NVMe o nazwie Zoned Namespaces (ZNS), który redukować będzie konieczność over-provisioningu (nadmiarowe bloki pamięci) w dyskach i wykorzystanie pamięci podręcznej DRAM. Zredukowane ma być także wzmocnienie zapisu, jak również opóźnienia, a także zwiększona wydajność. Technologia PLC jest również dość skomplikowana, gdyż aby pozwalała na zapisywanie 5 bitów na komórkę pamięci, musi przechowywać 32 różne poziomy napięcia, a połączony kontroler SSD musi być w stanie odczytać je wszystkie bardzo precyzyjnie. Toshiba zapewnia jednak, że wysiłek, jaki wkłada w opracowanie tych pamięci, przyniesie też wymierne korzyści dla TLC i QLC, co w tym przypadku zdaje się być najbardziej obiecującą nowiną.

Toshiba prezentuje nowy standard SSD NVMe wielkości karty SIM

Data: 08.08.2019 14:36

Autor: ziemianin

purepc.pl

#wiadomosci #codziennaprasowka #technologia #nand #nvme #ssd #toshiba #XFMEXPRESS

XFMEXPRESS ma oferować obecnie przepustowość do 4 GB/s, a kolejna generacja ma podwoić tą wydajność za sprawą 8 GB/s.

Źródło: STH (Serve TheHome)

Toshiba prezentuje nowy standard SSD NVMe wielkości karty SIM

Pogoń za miniaturyzacją osiąga momentami granice absurdu. To właśnie z tego powodu w smartfonach wymienne baterie są już rzadkością, a większość elementów laptopów jest lutowana – procesory, układy graficzne, a nawet pamięci RAM czy pamięć wewnętrzna. W efekcie w przypadku awarii czy zużycia danego elementu, konieczna jest wizyta w autoryzowanym serwisie. A to, zwłaszcza po gwarancji, potrafi być sporym wydatkiem. Toshiba postanowiła coś zmienić w tej materii, wcale nie walcząc z samą minituryyzacją. Mowa o pamięciach XFMEXPRESS, które są odpowiednikiem SSD NVMe ale w rozmiarze karty SIM. Mimo tego nie są na stałe wlutowywane w PCB urządzenia.

Na wydarzeniu Flash Memory Summit japońska firma Toshiba zaprezentowała nowy standard dla pamięci wewnętrznej. Mowa o XFMEXPRESS oferującym wydajność nośników półprzewodnikowych z interfejsem NVMe, acz w zdecydowanie mniejszym rozmiarze niż klasyczne, nawet najmniejsze dyski SSD M.2. Co więcej całość nie jest lutowana jak znane nam już moduły eMMC czy UFS. Zamiast tego układ wsadzany jest w nieco większy koszyk będący integralną częścią płyty głównej urządzenia. Pozwala to na zachowanie niewielkich wymiarów, co docenią wielbiciele ultrabooków, UMPC czy SFF, przy jednoczesnej możliwości wymiany modułu na większy w przyszłości czy zastąpienia uszkodzonego nowym.

Jak ma się sprawa wydajności? Cóż, Toshiba XFMEXPRESS oficjalnie ma wspierać standard PCI Express 3.0 i 4.0 (x2 i x4) więc teoretycznie mowa o przepustowości do 4 GB/s. Robi to wrażenie, zwłaszcza biorąc pod uwagę niewielkie wymiary w postaci 18 x 14 x 2,2 milimetrów w porównaniu do SSD typu BGA (lutowanych), czyli 11,5 x 13 mm dla tych z interfejsem PCIe x2 i 16 x 20 mm dla tych z interfejsem PCIe x4. Pytanie tylko jak to wszystko będzie wyglądało pod względem ceny produkcji i wdrożenia, co standardowo będzie najważniejszym czynnikiem dla producentów rozważających ewentualne wprowadzenie nowego standardu.

Awaria w fabrykach Toshiby i WD. Nośniki SSD znowu podrożeją?

Data: 01.07.2019 09:57

Autor: ziemianin

purepc.pl

#codziennaprasowka #technologia #awaria #japonia #nand #ssd #toshiba #wd #westerndigital

Awaria w fabrykach Toshiby i WD. Nośniki SSD znowu podrożeją?

Yokkaichi Operations odpowiada za 35% światowej produkcji pamięci NAND.

Jak poinformowała wczoraj Toshiba oraz Western Digital, 15 czerwca doszło do niespodziewanej przerwy w dostawie prądu w japońskim ośrodku Yokkaichi Operations. Trwała ona aż 13 minut i miała niestety negatywny wpływ na produkowane wafle pamięci NAND oraz wykorzystywaną aparaturę.